MCH3307 datasheet(1/4 Pages) SANYO

部件名	MCH3307

功能描述	P CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR

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制造商	SANYO [Sanyo Semicon Device]

网页	https://www.sanyo-av.com/us/

标志

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MCH3307

No.7007-1/4

No.

新

MCH3307

〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号

特長

・低オン抵抗。

・超高速スイッチング。

・2.5V 駆動。

絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

unit

ドレイン・ソース電圧

VDSS

−20

V

ゲート・ソース電圧

VGSS

±10

V

ドレイン電流（DC）

ID

−1

A

ドレイン電流（パルス）

IDP

PW ≦ 10

µs, duty cycle ≦ 1%

− 4

A

許容損失

PD

セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時

0.8

W

チャネル温度

Tch

150

℃

保存周囲温度

Tstg

− 55 ∼＋ 150

℃

電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃

min

typ

max

unit

ドレイン・ソース降伏電圧

V(BR)DSS ID= − 1mA, VGS=0

− 20

V

ドレイン・ソースしゃ断電流

IDSS

VDS= − 20V, VGS=0

− 1

µA

ゲート・ソースもれ電流

IGSS

VGS= ± 8V, VDS=0

± 10

µA

ゲート・ソースしゃ断電圧

VGS(off)

VDS= − 10V, ID= − 1mA

− 0.4

− 1.4

V

順伝達アドミタンス

yfs

VDS= − 10V, ID= − 500mA

0.84

1.2

S

ドレイン・ソース間オン抵抗

RDS(on)1

ID= − 500mA, VGS= − 4V

380

500

m

Ω

RDS(on)2

ID= − 300mA, VGS= − 2.5V

540

760

m

Ω

入力容量

Ciss

VDS= − 10V, f=1MHz

115

pF

出力容量

Coss

VDS= − 10V, f=1MHz

23

pF

帰還容量

Crss

VDS= − 10V, f=1MHz

15

pF

次ページへ続く。

単体品名表示：JG

N7007

注文コード No. N7007

P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ

超高速スイッチング用

71801

本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を

要する用途（生命維持装置、航空機のコント

ロールシステム等、多大な人的・物的損害

を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に

はなっておりません。そのような場合には、

あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下

さい。

本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲

等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果

発生した機器の欠陥について、弊社は責任

を負いません。

1 : Gate

2 : Source

3 : Drain

SANYO : MCPH3

外形図 2167A

(unit : mm)

2.0

0.65

0.3

0.15

1

2

3

12

3

71801 TS IM ◎佐藤 TA-3312

类似零件编号 - MCH3307

制造商	部件名	数据表	功能描述
Sanyo Semicon Device	MCH3301	30Kb / 4P	Ultrahigh-Speed Switching Applications
	MCH3302	40Kb / 4P	Ultrahigh-Speed Switching Applications
	MCH3306	28Kb / 4P	Ultrahigh-Speed Switching Applications
	MCH3308	27Kb / 4P	Ultrahigh-Speed Switching Applications
Cypress Semiconductor	MCH3308	2Mb / 23P	Power Supply Application

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制造商	部件名	数据表	功能描述
Sanyo Semicon Device	2SJ458	13Kb / 1P	P CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR
	2SJ643	312Kb / 4P	P CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR
	2SJ645	47Kb / 2P	P CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR
	MCH6617	41Kb / 4P	P CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR
	MCH3318	44Kb / 4P	P CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR
	2SJ632	47Kb / 4P	P CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor	TPC8103	292Kb / 5P	TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE
Guangdong Kexin Industr...	KPCF8402	96Kb / 3P	Silicon P, N Channel MOS Type Transistor
Toshiba Semiconductor	SSM6J07FU	146Kb / 5P	TOSHIBA Transistor Silicon P Channel MOS Type
Seme LAB	SML9030220M	20Kb / 2P	P-CHANNEL MOS TRANSISTOR