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GT10J321 数据表(PDF) 6 Page - Toshiba Semiconductor |
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GT10J321 数据表(HTML) 6 Page - Toshiba Semiconductor |
6 / 7 page GT10J321 2006-11-01 6 Pulse width tw (s) rth (t) – tw 10 −3 10 2 10 −5 10 −4 10 −3 10 −2 10 −1 10 0 10 1 10 2 10 −2 10 −1 10 0 10 1 10 −4 IGBT FRD Tc = 25°C Case temperature Tc (°C) ICmax – Tc 12 0 25 50 75 100 125 150 2 4 6 8 10 Common emitter VGE = 15 V |
类似零件编号 - GT10J321_06 |
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类似说明 - GT10J321_06 |
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