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KHB6D0N40P Datasheet(数据表) 3 Page - KEC(Korea Electronics)

部件型号  KHB6D0N40P
说明  N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
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制造商  KEC [KEC(Korea Electronics)]
网页  http://www.keccorp.com
标志 

KHB6D0N40P Datasheet(HTML) 3 Page - KEC(Korea Electronics)

   
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 3 page
background image
2006. 1. 13
3/7
KHB6D0N40P/F
Revision No : 0
Gate - Source Voltage VGS (V)
ID - VDS
Drain - Source Voltage VDS (V)
Drain Current ID (A)
10-1
100
101
10-1
100
101
10
0
10
-1
10
1
68
410
2
ID - VGS
RDS(ON) - ID
IDR - VSD
0.2
0.4
0.8
1.0
1.2
1.4
0.6
0.0
0.8
2.4
1.6
3.2
04
16
12
20
24
8
Source - Drain Voltage VSD (V)
VG = 20V
VG = 10V
10
0
10
-1
10
1
VGS
TOP : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom: 4.5 V
BVDSS - Tj
RDS(ON) - Tj
-100
-50
0.8
0.9
1.2
1.1
1.0
050
100
150
0
50
-100
-50
100
150
0.0
0.5
3.0
2.5
1.0
1.5
2.0
Junction Temperature Tj ( )
C
V
GS = 10V
I
D
= 3A
25 C
150 C
150 C
25 C
-55 C
Junction Temperature Tj (
)
C




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