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MMG3005NT1 Datasheet(数据表) 7 Page - NXP Semiconductors

部件型号  MMG3005NT1
说明  Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
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制造商  NXP [NXP Semiconductors]
网页  http://www.nxp.com
标志 

MMG3005NT1 Datasheet(HTML) 7 Page - NXP Semiconductors

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 7 page
background image
MMG3005NT1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
50 OHM TYPICAL CHARACTERISTICS: 900 MHz
29
--55
--35
24
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 13. IS--95 Adjacent Channel Power Ratio
versus Output Power
--40
--45
--50
28
27
26
25
TC =--40C
25C
85C
29
--80
--40
19
Pout, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 14. IS--95 Adjacent Channel Power Ratio
versus Output Power
--50
--60
--70
27
25
23
21
TC =85C
25C
--40C
VDC =5Vdc,f=900 MHz
Single--Carrier IS--95, 9 Channel Forward
750 kHz Measurement Offset
30 kHz Measurement Bandwidth
VDC =5Vdc,f=900 MHz
Single--Carrier IS--95, 9 Channel Forward
885 kHz Measurement Offset
30 kHz Measurement Bandwidth




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