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MCH5805 数据表(PDF) 1 Page - Sanyo Semicon Device |
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MCH5805 数据表(HTML) 1 Page - Sanyo Semicon Device |
1 / 5 page MCH5805 No.7125-1/5 No. 新 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ (MCH3314) とショットキバリアダイオード (SB01-05) を 1 パッケージに内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。 ・[MOS] 1) 低オン抵抗。 2) 超高速スイッチング。 3) 4V 駆動。 ・[SBD] 1) 逆回復時間が短い。 2) 低順電圧。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ [MOSFET 部] unit ドレイン・ソース電圧 VDSS −60 V ゲート・ソース電圧 VGSS ±20 V ドレイン電流(DC) ID − 0.6 A ドレイン電流(パルス) IDP PW ≦ 10 µs, duty cycle ≦ 1% − 2.4 A 許容損失 PD セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit 0.8 W チャネル温度 Tch 150 ℃ 保存周囲温度 Tstg − 55 ∼+ 125 ℃ [SBD 部] unit 繰り返しピーク逆電圧 VRRM 50 V 非繰り返しピーク VRSM 50 V 逆サージ電圧 平均整流電流 IO 0.1 A サージ電流 IFSM 50Hz 正弦波 1 サイクル 2 A 接合部温度 Tj − 55 ∼+ 125 ℃ 保存周囲温度 Tstg − 55 ∼+ 125 ℃ 単体品名表示:QE 電気的接続図 (Top view) MCH5805 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 N7125 注文コード No. N7125 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 N1501 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途(生命維持装置、航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。 1 : Gate 2 : Source 3 : Anode 4 : Cathode 5 : Drain SANYO : MCPH5 外形図 2195 (unit : mm) 2.0 0.65 0.3 0.15 1 32 4 5 12 3 54 N1501 TS IM ◎佐藤 TA-3399 54 12 3 1 : Gate 2 : Source 3 : Anode 4 : Cathode 5 : Drain |
类似零件编号 - MCH5805 |
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