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K9F1G08U0E Datasheet(数据表) 21 Page - Samsung semiconductor

部件型号  K9F1G08U0E
说明  1Gb E-die NAND Flash
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制造商  SAMSUNG [Samsung semiconductor]
网页  http://www.samsung.com/Products/Semiconductor
标志 

 21 page
background image
- 21 -
datasheet
K9F1G08U0E
FLASH MEMORY
Rev. 1.11
SAMSUNG CONFIDENTIAL
4.3 Input Data Latch Cycle
CE
CLE
WE
DIN 0
DIN 1
DIN final
ALE
tALS
tCLH
tWC
tCH
tDS
tDH
tDS
tDH
tDS
tDH
tWP
tWH
tWP
tWP
I/Ox
* Serial Access Cycle after Read(CLE=L, WE=H, ALE=L)
NOTE :
Transition is measured at
200mV from steady state voltage with load.
This parameter is sampled and not 100% tested.
tRHOH starts to be valid when frequency is lower than 20MHz.
RE
CE
R/B
Dout
Dout
Dout
tRC
tREA
tRR
tRHOH
tREA
tREH
tREA
tCOH
tRHZ
I/Ox
tCHZ
tRHZ




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