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DZ3600S17K3-B2 数据表(PDF) 3 Page - Infineon Technologies AG |
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DZ3600S17K3-B2 数据表(HTML) 3 Page - Infineon Technologies AG |
3 / 5 page 3 TechnischeInformation/TechnicalInformation DZ3600S17K3_B2 IGBT-Module IGBT-modules preparedby:WB approvedby:PL dateofpublication:2013-11-25 revision:2.2 VorläufigeDaten PreliminaryData DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) VF [V] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0 600 1200 1800 2400 3000 3600 4200 4800 5400 6000 6600 7200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon= Ω,VCE=900V IF [A] 0 900 1800 2700 3600 4500 5400 6300 7200 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300 Erec, Tvj = 125°C SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=3600A,VCE=900V RG [ Ω] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300 1400 1500 Erec, Tvj = 125°C TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) t [s] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 100 ZthJC : Diode i: ri[K/kW]: τi[s]: 1 2,8 0,01 2 2,8 0,04 3 5,6 0,09 4 2,8 0,2 |
类似零件编号 - DZ3600S17K3-B2 |
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类似说明 - DZ3600S17K3-B2 |
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