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2SJ645 数据表(PDF) 1 Page - Sanyo Semicon Device |
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2SJ645 数据表(HTML) 1 Page - Sanyo Semicon Device |
1 / 2 page 2SJ645 HD 020610 ◎圓井 No.0000-1/2 No. 新 2SJ645 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 特長 ・低オン抵抗。 ・2.5V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ unit ドレイン・ソース電圧 VDSS −20 V ゲート・ソース電圧 VGSS ±10 V ドレイン電流(DC) ID −8 A ドレイン電流(パルス) IDP PW ≦ 10 µs, duty cycle ≦ 1% − 32 A 許容損失 PD 1W Tc=25℃ 20 W チャネル温度 Tch 150 ℃ 保存周囲温度 Tstg − 55 ∼+ 150 ℃ 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ min typ max unit ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ID= − 1mA, VGS=0 − 20 V ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS VDS= − 20V, VGS=0 − 1 µA ゲート・ソースもれ電流 IGSS VGS= ± 8V, VDS=0 ± 10 µA ゲート・ソースしゃ断電圧 VGS(off) VDS= − 10V, ID= − 1mA − 0.4 − 1.4 V 順伝達アドミタンス yfs VDS= − 10V, ID= − 4A 5.6 8 S 次ページへ続く。 N0000 注文コード No. N 0000 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 00000 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 暫定規格 1 : Gate 2 : Drain 3 : Source 4 : Drain SANYO : TP 5.0 6.5 0.85 0.7 0.6 0.5 1.2 2.3 0.5 1 23 4 2.3 2.3 外形図 2083B (unit : mm) 1 : Gate 2 : Drain 3 : Source 4 : Drain SANYO : TP-FA 外形図 2092B (unit : mm) 6.5 2.3 0.5 5.0 0.85 0.5 1.2 0 ∼0.2 2.3 2.3 0.6 12 4 3 |
类似零件编号 - 2SJ645 |
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类似说明 - 2SJ645 |
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