2SJ645

HD 020610 ◎圓井 No.0000-1/2

No.

新

2SJ645

〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号

特長

・低オン抵抗。

・2.5V 駆動。

絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

unit

ドレイン・ソース電圧

VDSS

−20

V

ゲート・ソース電圧

VGSS

±10

V

ドレイン電流（DC）

ID

−8

A

ドレイン電流（パルス）

IDP

PW ≦ 10

µs, duty cycle ≦ 1%

− 32

A

許容損失

PD

1W

Tc=25℃

20

W

チャネル温度

Tch

150

℃

保存周囲温度

Tstg

− 55 ∼＋ 150

℃

電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃

min

typ

max

unit

ドレイン・ソース降伏電圧

V(BR)DSS ID= − 1mA, VGS=0

− 20

V

ドレイン・ソースしゃ断電流

IDSS

VDS= − 20V, VGS=0

− 1

µA

ゲート・ソースもれ電流

IGSS

VGS= ± 8V, VDS=0

± 10

µA

ゲート・ソースしゃ断電圧

VGS(off)

VDS= − 10V, ID= − 1mA

− 0.4

− 1.4

V

順伝達アドミタンス

VDS= − 10V, ID= − 4A

5.6

8

S

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N0000

注文コード No. N 0000

P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ

超高速スイッチング用

00000

本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、

多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に

は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。

本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥

について、弊社は責任を負いません。

暫定規格

1 : Gate

2 : Drain

3 : Source

4 : Drain

SANYO : TP

5.0

6.5

0.85

0.7

0.6

0.5

1.2

2.3

0.5

1

23

4

2.3

2.3

外形図 2083B

(unit : mm)

1 : Gate

2 : Drain

3 : Source

4 : Drain

SANYO : TP-FA

外形図 2092B

(unit : mm)

6.5

2.3

0.5

5.0

0.85

0.5

1.2

0

∼0.2

2.3

2.3

0.6

12

4

3