2SJ646 datasheet(2/4 Pages) SANYO

部件名	2SJ646

功能描述	2SJ646

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制造商	SANYO [Sanyo Semicon Device]

网页	https://www.sanyo-av.com/us/

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2SJ646

No.8282-2/4

前ページより続く。

項目

記号

条件

定格値

unit

min

typ

max

総ゲート電荷量

Qg

VDS=− 10V, VGS=− 10V, ID=− 8A

11

nC

ゲート・ソース電荷量

Qgs

VDS=− 10V, VGS=− 10V, ID=− 8A

2.4

nC

ゲート・ドレイン電荷量

Qgd

VDS=− 10V, VGS=− 10V, ID=− 8A

1.7

nC

ダイオード順電圧

VSD

IS=− 8A, VGS=0V

− 1.0

− 1.2

V

外形図

unit : mm

7518-004

7003-004

スイッチングタイム測定回路図

PW=10µs

D.C.

≦1%

0V

--10V

VIN

P.G

50Ω

G

S

ID= --4A

RL=3.75Ω

VDD= --15V

VOUT

2SJ646

VIN

D

6.5

5.0

2.3

0.5

12

4

3

0.85

0.7

1.2

0.6

0.5

2.3

1 : Gate

2 : Drain

3 : Source

4 : Drain

SANYO : TP

0

--0.5

--1.0

--2.0

--2.5

--3.0

--4.0

--3.5

--1.5

0--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--0.1

--0.3

--0.5

--0.7

--0.9

ドレイン・ソース電圧, VDS -- V

ID -- VDS

IT04492

0--1.0

--0.5

--1.5

--2.0

--2.5

--3.0

--3.5

--4.5

--4.0

--5.0

0

--1

--2

--3

--4

--5

--6

ゲート・ソース電圧, VGS -- V

ID -- VGS

IT04493

--3.5V

VGS= --2.5V

--3.0V

VDS= --10V

6.5

5.0

2.3

0.5

12

4

3

0.85

0.6

0.5

1.2

2.3

0 to 0.2

1 : Gate

2 : Drain

3 : Source

4 : Drain

SANYO : TP-FA

类似零件编号 - 2SJ646

制造商	部件名	数据表	功能描述
VBsemi Electronics Co.,...	2SJ646	1,016Kb / 9P	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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